Apacer:CV110-SD- und CV110-MSD-Karten weltweit eingeführt

Apacer stellt die Karten CV110-SD und CV110-MSD vor, die sich durch kompakte Größe, hohe Leistung, hohe Sicherheit, hohe Zuverlässigkeit, geringen Stromverbrauch und breite Kompatibilität auszeichnen. Sie unterstützen Kapazitäten bis zu 256 GB. Die Produkte sind kompatibel mit Kartenlesegeräten bis SD-Kartenversion 6.1, aber auch abwärtskompatibel mit Version 3.0 und 2.0. Sie sind vollständig kompatibel mit den Spezifikationen der SD Card Association, einschließlich der Physical Layer Specification Version 6.1 und der Security Specification Version 4.0.

Die Karten CV110-SD und CV110-MSD verfügen über eine 9-polige/8-polige Schnittstelle, die für den Betrieb mit einer maximalen Betriebsfrequenz von 208 MHz ausgelegt ist. Sie können Kommunikationsprotokolle zwischen SD-Modus und SPI-Modus wechseln. Und sie führen Datenfehlererkennung und -korrektur durch, während sie einen sehr geringen Stromverbrauch beibehalten. Die wettbewerbsfähigen Eigenschaften der Produkte machen sie ideal für Handheld-Anwendungen mit kundenspezifischer Firmware, z. B. in der Gesundheits-, Transport-, Embedded- und IPC-Industrie. Da 5G- und IoT-Produkte ausgereifter werden, eignen sich die Karten CV110-SD und CV110-MSD für die meisten Bereitstellungen in der Edge-Computing-Technologie.

Beim Bau von Produkten wie den CV110-SD- und CV110-MSD-Karten verwendet Apacer weiterhin ausschließlich Toshiba-ICs, die eine beeindruckende Gesamtzahl von P/E-Zyklen (3.000) bieten und den Betrieb bei Temperaturen zwischen -40 und 85 °C unterstützen.

Der DataRAID-Algorithmus von Apacer bietet ein zusätzliches Maß an Schutz und Fehlerprüfung. Mit diesem Algorithmus wird ein gewisser Platz für die Aggregation und erneute Speicherung der vorhandenen Paritätsdaten zur Fehlerprüfung bereitgestellt. Falls Daten beschädigt werden, können die Paritätsdaten mit den vorhandenen, nicht beschädigten Daten verglichen und der Inhalt der beschädigten Daten wiederhergestellt werden.

Smart Read Refresh von Apacer spielt eine proaktive Rolle bei der Vermeidung von Lesestörungsfehlern, um den Gesundheitszustand aller NAND-Flash-Blöcke sicherzustellen. Speziell für leseintensive Anwendungen entwickelt, wird Smart Read Refresh™ verwendet, um sicherzustellen, dass während des Lesevorgangs die Daten beim Erreichen des Schwellenwerts für den Lesevorgang aktualisiert werden, indem sie zur späteren Verwendung in einen anderen Block geschrieben werden.