MOSFETs (IGFET): Depletion- & Enhancement-Modus erklärt
Isolierte-Gate-Feldeffekttransistoren (IGFETs), allgemein MOSFETs genannt, sind das Rückgrat moderner Digital- und Leistungselektronik. Zu verstehen, wie ihre Gate-Spannung den leitenden Kanal steuert, ist essenziell für zuverlässiges Design.
In der obigen Abbildung unterscheiden die zwei Symbole – eines mit durchgezogener, eines mit gestrichelter Kanallinie – zwischen Depletion-Mode und Enhancement-Mode.
- Depletion-Mode MOSFET: Eine Gate-Spannung entgegengesetzter Polarität zur Source zieht Ladungsträger ab, verengt den Kanal und schaltet das Bauelement schließlich aus.
- Enhancement-Mode MOSFET: Eine Gate-Spannung derselben Polarität wie die Source zieht Ladungsträger an, weitet den Kanal und ermöglicht Leitung von Source zu Drain.
Depletion-Mode-Transistoren verhalten sich als normally-on Schalter, Enhancement-Mode als normally-off, die einen Gate-Drive zum Leiten benötigen.
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