Herstellung supraleitender Schaltkreise auf beiden Seiten einer ultradünnen Siliziumschicht

Eine neue Herstellungsmethodik erfüllt die Notwendigkeit einer dünnen, doppelseitigen Leiterplatte, die ein geringes Übersprechen zwischen Sensoren und einen geringen Verlust in Übertragungsleitungen ermöglicht.

Das Herstellungsverfahren ermöglicht die Verwendung eines minimalistischen Siliziumwafers als Leiterplatte bei gleichzeitiger Reduzierung des Platzbedarfs und Steigerung der Effizienz durch Abscheidung von supraleitendem Material auf beiden Seiten. Aufgrund der dünnen Natur des Siliziumwafers ist während der Herstellung dieser Schaltung ein zusätzlicher Haltegriffwafer erforderlich, um die Abscheidung eines Metalldünnfilms auf einem heißen Substrat auf einer Seite des Wafers zu ermöglichen. Zusätzlich wird eine metallische und polymere Opferschicht verwendet, um das Siliziumsubstrat und die supraleitenden metallischen Schichten während der Entfernung der unerwünschten Silizium-, vergrabenen Oxid- und Epoxidschichten zu schützen.

Dieser Prozess führt die Herstellungsmethodik ein, die erforderlich ist, um die ultra-verlustarmen Übertragungsleitungen und das ultra-niedrige Nebensprechen zwischen supraleitenden Sensoren zu realisieren.

Die NASA sucht aktiv nach Lizenznehmern zur Kommerzialisierung dieser Technologie. Bitte wenden Sie sich an den Licensing Concierge der NASA unter Diese E-Mail-Adresse ist vor Spambots geschützt! JavaScript muss aktiviert werden, damit sie angezeigt werden kann. oder rufen Sie unter 202-358-7432 an, um Lizenzierungsdiskussionen einzuleiten. Folgen Sie diesem Link hier für mehr Informationen.