Beidseitige supraleitende Schaltkreise auf ultra-dünnen Silizium-Wafern: Kompakte, Low-Crosstalk-Lösung

Eine neue Fertigungsmethodik adressiert den Bedarf an einer dünnen, beidseitigen Leiterplatte, die niedriges Crosstalk zwischen Sensoren und niedrigen Verlust in Übertragungsleitungen ermöglicht.

Die Fertigungsmethode erlaubt die Nutzung eines minimalistischen Silizium-Wafers als Leiterplatte, während sie Platz reduziert und Effizienz erhöht, indem sie supraleitendes Material auf beiden Seiten abscheidert. Aufgrund der dünnen Natur des Silizium-Wafers ist ein zusätzlicher Backing-Handle-Wafer während der Fertigung dieser Schaltkreise erforderlich, um die Abscheidung von metallischen Dünnschichten auf einem heißen Substrat auf einer Seite des Wafers zu ermöglichen. Zusätzlich wird eine metallische und polymere Opferlage verwendet, um den Silizium-Substrat und die supraleitenden metallischen Schichten während der Entfernung des unerwünschten Siliziums, vergrabenen Oxids und Epoxid-Schichten zu schützen.

Dieser Prozess führt die Fertigungsmethodik ein, die erforderlich ist, um ultra-verlustarme Übertragungsleitungen und ultra-niedriges Crosstalk zwischen supraleitenden Sensoren zu realisieren.

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