Hochleistungs-Wolfram-Titan-Legierungs-Targets für fortschrittliche Halbleiterchips

Einleitung

Wolfram-Titan-Legierung wird zunehmend als Diffusionsbarriere und Bonding-Schicht in neuen Halbleiterbauelementen gewählt, da sie exzellente Oberflächenhaftung mit herausragender thermischer Leitfähigkeit kombiniert. Das Resultat ist ein Target, das über den Chip-Fertigungsprozess hinweg überlegene Leistung liefert.

Sowohl Wolfram als auch Titan bringen einzigartige Vorteile: hohe Dichte, außergewöhnliche Reinheit, robuste Korrosionsbeständigkeit und minimales Volumenausdehnung. Diese Eigenschaften unterdrücken Partikelbildung während der Abscheidung und sichern hochwertige Dünnschichten.

Herstellungsprozess

Nachfolgend ein straffierter, hocheffizienter Methodenansatz für Wolfram-Titan-Legierungs-Rohlinge, geeignet für Serienfertigung.

1. Kombinieren von Wolfrumpulver (10–65 Gew.-%) mit Titanpulver unter Inertatmosphäre zur Oxidationsvermeidung.
2. Verdichten des homogenen Gemischs zu einem Block mittels mechanischer Presse oder kaltisostatischer Presse.
3. Einbringen des Blocks in Vakuum-Sinterofen und Erhitzen zur Volldichtigung.
4. Nach Abkühlung Schmelzen des gesinterten Legierungsblocks in nicht-verbrauchendem Vakuum-Lichtbogenofen zum finalen Target.

Hauptvorteile dieser Methode:

• Einfacher, praktischer Workflow.
• Beseitigt niedrige Effizienz und ungleichmäßige Zusammensetzung traditioneller Prozesse.
• Produziert Legierungen mit 10–60 Gew.-% Wolfram, ideal für Großserienfertigung.

Fazit

Wir hoffen, dieser Überblick klärt Vorteile und Herstellung von Wolfram-Titan-Legierungs-Targets für Halbleiteranwendungen. Für tiefere Einblicke in Refraktärmetalle und -legierungen besuchen Sie Advanced Refractory Metals (ARM).

Hauptsitz in Lake Forest, Kalifornien: ARM ist ein globaler Anbieter hochwertiger Refraktärmetalle wie Niob, Molybdän, Tantal, Rhenium, Wolfram, Titan und Zirconium zu wettbewerbsfähigen Preisen.