Infineon:TRENCHSTOP IGBT7- und EC7-Diode maßgeschneidert für industrielle Antriebsanwendungen

Infineon Technologies stellt seinen neuen 1200-V-TRENCHSTOP-IGBT7 und eine emittergesteuerte EC7-Diode vor. Die IGBTs sorgen für eine höhere Leistungsdichte, niedrigere Systemkosten und eine reduzierte Systemgröße. Verpackt im bekannten Easy-Gehäuse passt das Leistungsmodul zu den Anforderungen industrieller Antriebsanwendungen.

Basierend auf der neuen Micro-Pattern-Trench-Technologie arbeitet der TRENCHSTOP IGBT7-Chip mit deutlich geringeren statischen Verlusten im Vergleich zum IGBT4. Seine Durchlassspannung wird um 20 Prozent reduziert. Dies bringt eine deutliche Verlustreduzierung in der Anwendung, insbesondere bei Industrieantrieben, die normalerweise mit moderaten Schaltfrequenzen arbeiten. Die Leistungsmodule verfügen über eine maximal zulässige Überlast-Sperrschichttemperatur von 175°C. Außerdem zeichnen sie sich durch ein weicheres Schalten und eine verbesserte Steuerbarkeit aus.

Die neuen 1200-V-TRENCHSTOP-IGBT7-Module sind mit der gleichen Pinbelegung wie die TRENCHSTOP-IGBT4-Module ausgelegt, was Hersteller dabei unterstützt, ihren Designaufwand zu reduzieren. Noch wichtiger ist, dass die neuen Module einen höheren Ausgangsstrom im gleichen Gehäuse oder einen ähnlichen Ausgangsstrom in einem kleineren Gehäuse ermöglichen. Dadurch können Konstrukteure bei Bedarf kompaktere Wechselrichterdesigns realisieren. Alle Modultypen sind mit der zuverlässigen PressFit-Montagetechnologie von Infineon für niedrigen ohmschen Widerstand und reduzierte Prozesszeiten ausgestattet.