Infineon bringt 1200 V TRENCHSTOP IGBT7 & EC7 Diode für Industrieantriebe

Infineon Technologies stellt seine 1200 V TRENCHSTOP IGBT7 und emitter-kontrollierte EC7 Diode vor, entwickelt für höhere Leistungsdichte, geringere Systemkosten und reduzierte Baugröße. Im bewährten Easy-Gehäuse verpackt, erfüllen diese Leistungsmodule die strengen Anforderungen industrieller Antriebsanwendungen.

Deutlich geringere statische Verluste

Auf einer hochmodernen Mikrostruktur-Trench-Architektur basierend, liefert der TRENCHSTOP IGBT7 signifikant niedrigere statische Verluste im Vergleich zur IGBT4-Serie. Seine Durchlassspannung ist um 20 % reduziert, was erhebliche Verlustminderungen bewirkt – besonders wertvoll für Antriebe mit moderaten Schaltfrequenzen. Die Module unterstützen eine maximale zulässige Überlast-Sperrschichttemperatur von 175 °C und bieten weicheres Schalten mit verbesserter Steuerbarkeit.

Pin-kompatibel für einfache Integration

Die neuen 1200 V TRENCHSTOP IGBT7 Module behalten den gleichen Pinout wie die IGBT4-Serie bei, was die Designintegration vereinfacht. Sie ermöglichen höheren Ausgangsstrom im gleichen Gehäuse – oder äquivalenten Strom in kleinerem Footprint – und erlauben Designern kompaktere Inverter-Lösungen. Alle Varianten nutzen Infineons bewährte PressFit-Montagetechnologie für niedrigen ohmschen Widerstand und optimierte Montage.

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