DMOS-Transistor:Erklärung seiner Fähigkeiten und Strukturen

Der Doppeldiffusions-DMOS-Transistor wirkt Wunder in elektrischen Schaltungen, die mehr Leute verstehen müssen. Der Transistor ist ein Hauptschlüssel in Bremssteuermodulen (BCM), Getriebesteuermodulen (TCM), Motorsteuermodulen und mehr. Zum Beispiel haben Wandler der Flyback-, DC-, selbstoszillierenden und Vorwärtsart DMOS-Transistoren installiert. Dieser Artikel ist wichtig, da er informativ und detailliert die Polaritätsdiffusion erklärt.

Informationen voller Fakten zu erhalten, ist der beste Weg, dieses Thema zu verstehen und zu schätzen. In diesem Artikel erfahren Sie mehr über den DMOS-Transistor, die Struktur, die Fähigkeiten und die Eigenschaften, die CMOS von DMOS unterscheiden.

Was ist der DMOS-Transistor?

Die DMOS FET sind Akronyme für den Doppeldiffusions-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor. Dieser Transistor gehört zur Familie der HF-Leistungs-N-Kanal-MOSFET-Transistoren. Der Name dieses kommerziellen Leistungs-MOSFETs stammt von einer Art und Weise, in der der Transistor arbeitet. Diese elektrische Vorrichtung arbeitet, indem sie zuerst das p-dotierte Substrat diffundiert. Anschließend folgt dann die hochdotierte n+-Source-Diffusion. Diese Aktivität trägt dazu bei, die Leistungspegel in einem doppelt diffundierten Bipolartransistor aufrechtzuerhalten.

Außerdem arbeitet der Double-Diffused MOSFET unter Verwendung der Bipolar-CMOS-DMOS (BCD)-Automatisierung für intelligente integrierte Schaltungen. Darüber hinaus hilft seine physikalische Struktur bei der Doppeldiffusionsaktivität, perfekt für Audio-Leistungsverstärker. Daher ist es ein übliches Leistungshalbleiterbauelement. Die Driftregion und die p-Region sind die Hauptarbeiter im Diffusionsprozess. Darüber hinaus hat das Design von Leistungs-MOSFETs einen p-Bereich mit mehr Tiefe.

Dieses spezielle Halbleitermaterial ist ein häufig verwendeter Transistor. Die Popularität beruht auf seiner Fähigkeit, alle Hindernisse des nicht kontaminierten bipolaren IC zu überbrücken. Zu einigen der Einschränkungen gehört insbesondere die Reduzierung der Verlustleistung, da die aktuelle Antriebsanforderung fehlt.

Außerdem arbeitet es effizient schnell Schalten von Anwendungen, wenn Sie die richtige Menge an Basisstrom anlegen.

(Transistoren.)

Wichtig ist, dass die Länge des Kanals, die Kontrolle der Durchbruchspannung und der Zugangswiderstand entscheidende Merkmale dieses Halbleitermaterials sind. Diese Faktoren sind wichtig, da die beiden Dotierstoffe unterschiedliche laterale Diffusionsgeschwindigkeiten besitzen. Die Rate der seitlichen Diffusion hilft bei der Bestimmung der Kanallänge und hilft bei der Laststromversorgung. Auch diese Dotierstoffe weisen eine zusätzliche Implantationsdosis auf. Zusätzlich greifen die Dotierstoffe durch eine Öffnung in der Polysiliziumschicht auf den DMOS FET zu.

Aufgrund dieses Merkmals hat diese Leistungsvorrichtungsstruktur eine kurze Kanallänge ab dem lithografischen Schritt im Benutzerprozess. Insbesondere gibt es zahlreiche Layouts des DMOS-Transistors. Die Layouts hängen jedoch hauptsächlich vom Spannungsbereich und der Spitzenleistung ab, mit der der Transistor betrieben wird.

Daher können Sie den DMOS-Transistor in Unterhaltungsgeräten, Industriegeräten und Bürogeräten verwenden. Sie können es auch in Klimaanlagen, Verkaufsautomaten und Warmwasserbereitern verwenden.

(Transistoren auf weißem Hintergrund)

Doppelt-diffundierte MOS (DMOS)-Struktur

Die physikalische Struktur des doppelt diffundierten MOS (DMOS) umfasst Siliziumdioxid, ein Siliziumsubstrat, warme Oxidation, polykristallines Silizium und einen Halbleiter. Darüber hinaus erhält der Stromkreis aufgrund der in ihn eindringenden Elektrizität geänderte Nennströme. Auch die Löcher mit positiven Ladungen können durch das die Gate-Elektroden und den Halbleiter umgebende Amalgamat basisch dotiert werden.

(Diagramm der DMOS-Struktur)

Erklärung

Die durch die Diffusionen vom n+- und p-Typ unter dem Gateoxid erzeugte Sperrschichtabschlusserweiterung steuert die Kanallänge. Außerdem kann die Kanallänge der Grundstruktur die seitlichen Abmessungen zwischen dem p-n-Substratübergang und dem n+-p-Übergang sein. Insbesondere kann diese Kanalabmessung etwa 0,5 mm lang sein.

Erstens, wenn die Betriebsspannung zu den Gate-Elektroden hin ansteigt, gehen Elektronen durch den Transistor. Dann bewegen sich die Elektronen vom p-Gebiet in das n-Gebiet. Als nächstes schaltet eine elektrische Verbindung über das Metalloxid die Inversionsschicht des p-Substratbereichs ein und aus. Dieser Vorgang geschieht aufgrund des Befehls der Gate-Spannung. Insbesondere liegt die Position des Gates zwischen dem Source-Anschluss (p-Bereich) und dem Drain-Anschluss (n-Bereich). Schließlich verlassen die Elektronen (Träger) nach einer Reise durch die n-Region.

Wichtig ist, dass Sie wissen, dass die n-Typ-Substanz einen niedrigen Dotierungsgrad hat. Daher ist genügend Platz vorhanden, um die Ausdehnung der Verarmungsschicht zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen zu berücksichtigen. Ferner führt diese Eigenschaft zu einer höheren Durchbruchspannung zwischen dem Drain-Anschluss und dem Source-Anschluss.

Der Drain-Source-Spannungsverarmungs-FET hat mehrere Entwicklungen erfahren. Folglich ist das Gerät zu einem der wichtigsten Leistungs-Feldeffekttransistoren geworden. Das anfängliche DMOS-Bauelement war jedoch aufgrund seiner seitlichen Strukturen und seiner Drain-Induktivität sehr groß. Diese Eigenschaft führte dazu, dass die Vorteile des Geräts aufgehoben wurden. Als Ergebnis wurde mit dem Entwurf und der Entwicklung der vertikalen Erweiterung der vertikalen Struktur begonnen.

(Bild von Leistungstransistoren.)

Was können DMOS-Transistoren?

Nachfolgend sind einige der Attribute des Doppeldiffusions-MOS-Transistors aufgeführt.

• Zum einen hat diese Leistungselektronik eine zu hohe Stromdichte mit entsprechenden Durchschlagsspannungen. Daher können Sie diese Eigenschaft durch den niedrigen Dotierungspegel im Bereich zwischen den Drain- und Kanalbereichen erreichen.
• Zweitens ist der DMOS dem Bipolar Junction Transistor ziemlich ähnlich. Die Ähnlichkeit ist insbesondere auf den hohen Basisstrom, die Durchbruchspannungseigenschaften und die hohe Frequenz zurückzuführen.
• Drittens kann der Spannungsverarmungs-FET die Geschwindigkeit in hochfrequenten Leistungszyklen megaschnell erhöhen, ohne einen Leistungsverlust zu erkennen.
• Der Feldeffekttransistor kann auch breitbandige leitende Verbindungssignale aufnehmen. Wichtig ist, dass diese Eigenschaft bewirkt, dass die Kapazität und der Durchlasswiderstand abfallen und eine niedrige Ladungsinjektion beibehalten wird.
• Darüber hinaus weist die Halbleiterschicht des p-Bereichs eine zusätzliche Implantation von Verunreinigungen innerhalb der Halbleiterbereiche auf, wodurch eine ordnungsgemäße Stanzsteuerung sichergestellt wird. Auch der Schwellenspannungsabfall gerät nicht außer Kontrolle, was auf die leichte Dotierung in der Driftzone zurückzuführen ist. Folglich geht die Geschwindigkeitssättigung vorbei und der Drainbereich ist der identische Zwilling des Driftbereichs.
• Als nächstes verwenden Sie die gesamten Transistorarrays in DMOS-Transistoren, um den Prozess der guten elektrischen Verbindung abzuschließen.
• Darüber hinaus bieten diese Hochspannungs-MOSFETs im Vergleich zu einem Niederspannungstransistor eine Energieeffizienz. Leistungsgeräte benötigen eine angemessene Energieeffizienz, damit sie funktionieren.
• Zu guter Letzt können sie je nach Aufgabe und Ladungsträger auf der niedrigen und hohen Seite arbeiten.

(eine Silhouette eines Bipolartransistors.)

Was ist der Unterschied zwischen CMOS und DMOS?

Complementary Metal-Oxide Semiconductor (CMOS) gehört zu den Arten von Halbleitervorrichtungen. Der MOSFET hat eine Leistungsaufnahme ohne hohen statischen Strom und Oxidkapazität. Außerdem erzeugt der MOSFET eine kleine Menge an Abwärme und einen Kanalwiderstand, der ziemlich hoch bleibt. Darüber hinaus wird der Stromverbrauch niedrig gehalten, was ein Plus ist.

Das CMOS arbeitet mit Transistorarrays, um Speicherchips, Bildsensoren und andere digitale Schaltungen zu konstruieren. Außerdem handelt es sich beim CMOS um eine komplizierte Reihe von Methoden, die sich nahtlos mit Produkttransistoren verbinden. Der CMOS verwendet eine Ausgangsspannung, wenn er unter einer leitenden Verbindung steht. Folglich kann der Komplexitätsgrad der Schaltung die Spannung steuern.

Im Gegensatz dazu verwendet der DMOS einen starken Stromfluss und hat einen Drain-Strom, der die Drain-Spannung steuert. Sie verwenden das Gerät hauptsächlich als Hoch- und Schnellfrequenzschalter. Außerdem besteht die Zusammensetzung des Geräts aus Oxidation und verschiedenem Silizium. Der Doppeldiffusionsprozess benötigt Gate, Body, Source und Drain. Darüber hinaus handhabt es die Akkumulation des elektrischen Stroms, ohne einen nachweisbaren elektrischen Strom zu benötigen.

(CMOS-Sensor einer Kamera.)

Zusammenfassung

Der DMOS-Transistor ist eine Struktur, die Doppeldiffusion mit dem p-Bereich und dem n-Bereich als Zuleitungen verwendet. Wichtig ist, dass die DMOS-Transistoren bei der Schaltungsherstellung von entscheidender Bedeutung sind und energieeffizient sind. Außerdem sind DMOS und CMOS sehr revolutionär, da sie die Tech-Welt enorm unterstützen.

Wir hoffen, dass dieser Artikel Ihnen eine große Hilfe ist. Bitte wenden Sie sich an uns, um weitere Informationen zu diesem Artikel oder anderen Schaltungen zu erhalten.