Winbond:2Gb+2Gb NAND- und LPDDR4x-Speicherprodukt für 5G-CPE-Modems

Winbond Electronics kündigte die Einführung eines neuen 1,8-V-2Gb+2Gb-NAND-Flash- und LPDDR4x-Speicherprodukts in einem kompakten 8,0 x 9,5 x 0,8 mm großen Multi-Chip-Gehäuse (MCP) an.

Das neue Produkt W71NW20KK1KW, das robusten Single Level Cell (SLC) NAND Flash und Hochgeschwindigkeits-LPDDR4x-Speicher mit geringem Stromverbrauch kombiniert, bietet ausreichend Speicherkapazität für 5G-Mobilfunkmodems, die für den Einsatz als Customer Premises Equipment (CPE) in Privathaushalten und Büros.

Während mobile 5G-Modems in der Regel größere Speicherdichten benötigen, können statische 5G-CPE-Modems perfekt mit Speicherkapazitäten von 2 Gb NAND/2 Gb DRAM arbeiten. Durch das Angebot dieser Speicherkombination in einem kompakten Einzelpaket ermöglicht Winbonds W71NW20KK1KW Herstellern von 5G-Modems, die Systemanforderungen von CPE-Einheiten bei geringstmöglichen Material- und Produktionskosten zu erfüllen.

Es wird erwartet, dass die Einführung einer neuen Generation kostenoptimierter 5G-CPE-Einheiten mit dem W71NW20KK1KW dazu beitragen wird, die Verbraucherakzeptanz von 5G als Alternative zu Festnetz-Kupfer- oder optischen xDSL-Verbindungen auf der letzten Meile von Hochgeschwindigkeits-Breitbandnetzen zu beschleunigen .

Der W71NW20KK1KW ist ein 149-Ball-BGA-MCP, der aus einem 2 Gb SLC NAND Flash Die und einem 2 Gb LPDDR4x DRAM Die besteht. Der robuste SLC-NAND-Flash bietet hervorragende Ausdauerspezifikationen und eine hohe Datenintegrität. Der SLC-NAND benötigt nur 4-Bit-ECC, um eine hohe Datenintegrität zu erreichen, aber die Seitengröße des Geräts von 2KB+128B bietet genügend Platz für die Verwendung von 8-Bit-ECC.

Der W71NW20KK1KW hat einen 8-Bit-Bus und ist in Blöcken von 64 Seiten organisiert. Die Leistungsspezifikationen des NAND-Chips umfassen eine maximale Seitenlesezeit von 25 µs und eine typische Seitenprogrammierzeit von 250 µs.