Winbond lanciert 2 Gb+2 Gb NAND & LPDDR4x Speicher für 5G CPE Modems

Winbond Electronics hat den W71NW20KK1KW vorgestellt, eine kompakte 1,8-V Dual-Die Speicherlösung, die 2 Gb SLC NAND Flash mit 2 Gb LPDDR4x DRAM in einem 8,0 × 9,5 × 0,8 mm Multi-Chip-Package (MCP) vereint.

Optimiert für statische 5G CPEs

Speziell für 5G Customer Premises Equipment (CPE) Modems entwickelt, liefert der W71NW20KK1KW die optimale Balance aus Ausdauer, Geschwindigkeit und Energieeffizienz, die für statische 5G-Deployments erforderlich ist.

Statische 5G CPE Einheiten operieren typischerweise komfortabel mit 2 Gb NAND und 2 Gb DRAM, was den W71NW20KK1KW zur idealen, kosteneffizienten Lösung macht, die beide Speichertypen in einem einzelnen 149-Ball BGA Package konsolidiert.

Vereinfachung des Memory Stacks

Durch Vereinfachung des Memory Stacks können Hersteller Board-Platz reduzieren, Bauteilanzahl senken und Produktionskosten kürzen – was den Rollout von 5G als brauchbare Alternative zu Kupfer oder optischem xDSL in der Letzten Meile beschleunigt.

Technische Details

Der SLC NAND Kern bietet herausragende Ausdauer und Datenintegrität; eine 2 KB + 128 B Page Size erlaubt Nutzung von bis zu 8-Bit Error-Correcting Code (ECC), während das Device nur 4-Bit ECC für zuverlässigen Betrieb benötigt.

Mit 8-Bit breitem Interface und Blöcken von 64 Pages erreicht der NAND-Die maximale Page Read Time von 25 µs und typische Page Program Time von 250 µs, was schnellen Datenzugriff für fordernde 5G-Workloads sicherstellt.

Winbonds W71NW20KK1KW exemplifiziert das Engagement des Unternehmens, hochleistungsfähige, kostengünstige Speicherlösungen zu liefern, die Next-Generation Broadband Deployments befähigen.