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ST Microelectronics zeigt 28 nm FD-SOI MCUs mit Embedded PCM für Powertrain, ADAS und Electrification

ST Microelectronics enthüllte auf IEDM 2018 die Architektur und Performance eines 28 nm FD-SOI MCU mit Embedded Phase-Change Memory (ePCM). Diese First-in-Class MCUs sind jetzt Sampling mit Alpha Customers, bestehen Field Trials die Automotive Specs treffen, und sind für Full Qualification 2020 slated.

Designed für Powertrain Control, Secure Gateways, Safety/ADAS, und Vehicle Electrification, kombinieren die ePCM-basierten MCUs Low Power, High Processing Density, und Large On-Chip Memory – addressing die wachsenden Demands moderner Automotive Software. Die Technology satisfies AEC-Q100 Grade 0, operates bis +165 °C, und garantiert Firmware und Data Retention durch High-Temperature Soldering Reflow und Radiation Immunity, ensuring Maximum Reliability.

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