Winbond enthüllt 2 Gb + 2 Gb NAND + LPDDR4x Multi-Chip Package für 5G CPE

Winbond Electronics hat den W71NW20KK1KW eingeführt, eine 1,8-V 2 Gb + 2 Gb NAND Flash und LPDDR4x Memory Lösung, verpackt in ein kompaktes 8,0 × 9,5 × 0,8 mm Multi-Chip Package (MCP). Dieses integrierte Device kombiniert langlebigen SLC NAND Flash mit High-Speed, Low-Power LPDDR4x Memory und bietet ample Kapazität für 5G Cellular Modems, designed als Customer Premises Equipment (CPE) in Residential und Commercial Settings.

Cost-Optimiert für Static 5G CPE

Während Mobile 5G Modems typischerweise höhere Memory Dichten verlangen, können statische 5G CPE Units effektiv mit 2 Gb NAND und 2 Gb DRAM operieren. Durch Konsolidierung dieser Memory-Kombination in ein einzelnes, platzsparendes Package ermöglicht Winbond Herstellern, CPE System Requirements zu erfüllen während Material- und Produktionskosten minimiert werden.

Beschleunigte 5G Consumer Adoption

Die W71NW20KK1KW's Cost-Optimized Architektur wird erwartet, Consumer Adoption von 5G zu beschleunigen, positionierend es als viable Alternative zu traditionellen Kupfer- oder Optischen xDSL Links für Last-Mile Broadband.

Technische Details

Der 149-Ball BGA MCP beherbergt eine 2 Gb SLC NAND Flash Die und eine 2 Gb LPDDR4x DRAM Die. Der SLC NAND bietet exceptionelle Endurance und Data Integrity, erfordert nur 4-bit ECC für zuverlässigen Betrieb; seine 2 KB + 128 B Page Size unterstützt auch 8-bit ECC wenn nötig.

Konfiguriert mit 8-Bit Data Bus und organisiert in 64-Page Blocks, liefert die NAND Die maximale Page Read Time von 25 µs und typische Page Program Time von 250 µs, was schnellen Data Access sichert.

Die LPDDR4x Die läuft bei 1866 MHz, featured LVSTL-11 Interface, acht Internal Banks für Parallel Operation und unterstützt Peak Data Rate von 4267 MT/s, matching High-Speed Demands von 5G Networks.