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ergFET: NASAs fortschrittlicher Festkörpersensor zur Detektion elektrischer Felder und Materialcharakterisierung

Das NASA Langley Research Center hat einen auf einem Feldeffekttransistor (FET) basierenden festkörperbasierten integrierten Schaltkreis entwickelt. ErgFET genannt, charakterisiert der Sensor die elektronischen Eigenschaften von Materialien, was die Detektion von Gegenständen wie Gepäck, Verkabelung und Flüssigkeiten ermöglicht und sogar für medizinische Bildgebung wie ferngesteuertes EKG eingesetzt werden kann.

Dieser equilibrium-reversing-gate feldeffekttransistor (ergFET) setzt eine Elektrode in der Nähe des Gates des Transistors ein, um Leckströme zu steuern und umzukehren, die in Transistoren typisch sind und zu Messfehlern führen können. Er kann in ein Array eingebaut werden, um höherauflösende Bildgebung zu ermöglichen, und ist ein festkörperbasiertes Gerät ohne bewegliche Teile. Dies ermöglicht tragbare und handgeführte Sensordesigns.

Die NASA sucht aktiv Lizenznehmer zur Kommerzialisierung dieser Technologie. Bitte kontaktieren Sie NASA's Licensing Concierge unter This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it. oder rufen Sie 202-358-7432 an, um Lizenzgespräche zu initiieren. Folgen Sie diesem Link hier  für weitere Informationen.

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