IRF840 Datablatt: Umfassender Überblick zum N-Kanal-MOSFET für Hochspannungsanwendungen
Der IRF840 ist ein N-Kanal-MOSFET für Hochspannungsanwendungen bis 500 V. Schnelles Schalten, genutzt für Verstärkung & Schaltung. Dieser Artikel beleuchtet Datablatt-Details & Einsatzgebiete.
Pin-Konfiguration
Pinbelegung ist kritisch – falsche Zuordnung macht Bauteil nutzlos.
Features
- Anstiegszeit 23 ns, Abfallzeit 20 ns
- TO-220 Gehäuse
- Drain-Source-Widerstand RDS(on) = 0,85 Ω
- Drain-Source-Sperrspannung 500 V
- Gate-Schwellenspannung VGS(th) = 10 V (Limit ±20 V)
- Dauer-Drainstrom 8 A
- N-Kanal Power MOSFET
(Nahaufnahme APM2510N MOSFET auf Grafikkarte)
Ersatz & Äquivalente
IRF840A; IRF840LC; IRFB17N50L
Einsatzbereiche
Schaltungen mit Hochspannung bis 500 V & Laststrom bis 8 A. Schnelles Schalten erforderlich. Auch in High-Power-Audioverstärkern.
(DPAK MOSFET Transistor Array 3D Illustration)
Anwendungen
- Batterieladegeräte
- Solarstrom-Anwendungen
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
- Schalten hoher Leistungen
- DC-Motor-Controller/Treiber
- Motordrehzahlregelung
- AC-Motor-Controller/Treiber
- Anwendungen mit schnellem Schalten
(Power MOSFET auf PCB)
Fazit
IRF840: Eines der besten Feldeffekt-Transistoren für analoge & digitale Schaltungen. Für Preise, technische Specs, Lieferzeiten: Kontaktieren Sie uns bei wellpcb.
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