Umweltfreundliche Synthese von InP/ZnS Kern/Schale Quantenpunkten für hochleistungsfähige schwermetallfreie LEDs

Zusammenfassung

Quantenpunkt-Leuchtdioden (QD-LEDs) wurden als potenzielle Display-Technologien mit den Eigenschaften hoher Farbreinheit, Flexibilität, Transparenz und Kosteneffizienz betrachtet. Für praktische Anwendungen ist die Entwicklung schwermetallfreier QD-LEDs aus umweltfreundlichen Materialien das wichtigste Thema, um Auswirkungen auf die menschliche Gesundheit und Umweltverschmutzung zu reduzieren. In dieser Arbeit wurden schwermetallfreie InP/ZnS Kern/Schale QDs mit unterschiedlicher Fluoreszenz durch eine grüne Synthesemethode mit niedrigen Kosten, sicheren und umweltfreundlichen Vorläufern hergestellt. Die InP/ZnS Kern/Schale QDs mit maximalem Fluoreszenzpeak bei ~ 530 nm, überlegener Fluoreszenzquantenausbeute von 60,1 % und voller Breite bei halber Maximalhöhe von 55 nm wurden als Emissionsschicht zur Herstellung mehrschichtiger QD-LEDs verwendet. Die mehrschichtigen InP/ZnS Kern/Schale QD-LEDs zeigten eine Einschaltspannung von ~ 5 V, die höchste Leuchtdichte (160 cd/m²) bei 12 V und eine externe Quantenausbeute von 0,223 % bei 6,7 V. Insgesamt zeigen die mehrschichtigen InP/ZnS Kern/Schale QD-LEDs Potenzial, die schwermetallfreien QD-LEDs für zukünftige Display-Anwendungen zu sein.

Hintergrund

Mit einzigartigen physikalischen und chemischen Eigenschaften haben Quantenpunkte (QDs) großes Interesse in Anwendungen wie Lasern, biomedizinischer Bildgebung, Sensoren und Leuchtdioden (LEDs) geweckt. QDs wurden aktiv für LED-Anwendungen untersucht wegen ihrer attraktiven Eigenschaften größenabstimmbarer Bandlücken, guter Photostabilität, überlegener Photolumineszenzeffizienz und Kompatibilität mit Lösungsprozessierungsmethoden. QD-LEDs wurden als potenzielle Display-Technologien mit den Eigenschaften hoher Farbreinheit, Flexibilität, Transparenz und Kosteneffizienz betrachtet. Derzeit werden die meisten QD-LEDs mit kadmiumbasierten QDs hergestellt, die sich als relativ einfach zu synthetisieren mit hochwertigen optischen Eigenschaften erwiesen haben. Die Schwermetallnatur der kadmiumbasierten QDs hat jedoch viele Bedenken hinsichtlich Karzinogenität und anderer chronischer Gesundheitsrisiken sowie Entsorgungsgefahren aufgeworfen. Die regulatorische Akzeptanz von Schwermetallzusammensetzungen in QDs wird die endgültige Kommerzialisierung von QD-LED-Produkten stark behindern. Für praktische Anwendungen ist die Entwicklung schwermetallfreier QD-LEDs das wichtigste Thema, um Auswirkungen auf die menschliche Gesundheit und Umweltverschmutzung zu reduzieren.

Bisher haben viele Bemühungen sich auf die Synthesen von kadmiumfreien QDs für LED-Anwendungen konzentriert, um Gesundheits- und Umweltbedenken zu beseitigen. In jüngsten Studien wurden rote Emission von ZnCuInS/ZnS Kern/Schale QDs gemischt mit blau-grüner Emission von Poly(N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)benzidin) verwendet, um weiße Elektrolumineszenz-LEDs zu erhalten. Hochstabile und lumineszente InP/GaP/ZnS Kern/Schale/Schale QDs mit maximaler Quantenausbeute von 85 % wurden verwendet, um weiße QD-LEDs mit Leuchteeffizienz von 54,71 lm/W, Ra von 80,56 und korrelierter Farbtemperatur von 7864 K bei der Farbkoordinate (0,3034, 0,2881) herzustellen. Weiße QD-LEDs basierend auf hochwertigen InP/ZnS Kern/Schale QDs mit Lumineszenz, einstellbar über das gesamte sichtbare Spektrum, wurden mit hohem Farbwiedergabeindex von 91 demonstriert. Unter diesen Materialien ist Indiumphosphid (Bandlücke ~ 1,35 eV) mit Kern/Schale-Struktur der potenzielle Kandidat als ideales Alternativmaterial, um den ähnlichen Emissionswellenlängenbereich ohne intrinsische Toxizität im Vergleich zu kadmiumbasierten QDs bereitzustellen. Viele Studien haben synthetische Ansätze wie Heißinjektion, solvothermal und Aufheizverfahren berichtet, um InP/ZnS Kern/Schale QDs mit hoher Quanteneffizienz zu synthetisieren. Mehrere Phosphorvorläufer einschließlich Tris(trimethylsilyl)phosphin, Triarylsilylphosphine, Phosphin, P₄ und PCl₃ wurden jeweils für die Synthesen von InP/ZnS Kern/Schale QDs genutzt. Diese Phosphorvorläufer weisen jedoch einige Nachteile auf wie teuer, entzündlich und giftig, was die weitere Produktion von InP/ZnS Kern/Schale QDs behindert. Daher ist die grüne Synthese von InP/ZnS Kern/Schale QDs mit billigen, sicheren und umweltfreundlichen Vorläufern immer noch eine Herausforderung in der Materialwissenschaft. Zudem ist die Verwendung von InP/ZnS Kern/Schale QDs zur Herstellung hocheffizienter QD-LEDs ein wichtiges Thema für die praktische Anwendung in Display-Technologie.

Hier wurden umweltfreundliche InP/ZnS Kern/Schale QDs erfolgreich durch solvothermale grüne Synthese mit kostengünstigen und sicheren Vorläufern einschließlich InI₃, ZnCl₂, (DMA)₃P, Zinkstearat und Schwefel synthetisiert. Die strukturellen und optischen Eigenschaften der InP/ZnS Kern/Schale QDs wurden durch Transmissionelektronenmikroskopie (TEM), Pulver-Röntgenbeugung (XRD) und Ultraviolett-Sichtbar (UV-Vis) Spektrophotometrie charakterisiert. Die thermische Stabilität der Fluoreszenz von InP/ZnS Kern/Schale QDs wurde untersucht, um die optimale Prozesstemperatur für die weitere Herstellung von mehrschichtigen InP/ZnS Kern/Schale QD-LEDs zu finden. Darüber hinaus wurde die Leistung von mehrschichtigen InP/ZnS Kern/Schale QD-LEDs erforscht, um die Möglichkeit für praktische Anwendungen wie Displays in naher Zukunft zu demonstrieren.

Methoden

Chemikalien

Indium(III)-iodid (InI₃), Zink(II)-chlorid (ZnCl₂), Tris(dimethylamino)phosphin (DMA)₃P und Zinkstearat wurden von Sigma-Aldrich bezogen. Oleylamin wurde von Acros Organics bezogen. Trioctylphosphin (TOP) und Schwefelpulver wurden von Strem Chemicals bezogen. Octadecen (ODE) wurde von Alfa Aesar bezogen.

Herstellung von InP/ZnS Kern/Schale QDs

InP/ZnS Kern/Schale QDs wurden über solvothermale grüne Synthese gemäß vorheriger Studie mit einigen Modifikationen synthetisiert. Zunächst wurden 224 mg InI₃, 300 mg ZnCl₂ und 5,0 ml Oleylamin in einen Dreihals-Rundkolben gegeben. Die Reaktanten wurden gerührt und 60 min bei 120 °C entgast und dann unter Argonatmosphäre auf 180 °C erhitzt. Bei 180 °C wurden 0,45 ml (DMA)₃P schnell in die obigen Reaktanten injiziert. Nach der Phosphorvorläufer-Injektion wurden die InP QDs 20 min weiter gewachsen. Zweitens, für das Wachstum der ZnS-Schale auf den InP-Kern, wurden 1,5 g Zinkstearat und 6 ml ODE als Zinkvorläufer gemischt. Zusätzlich wurden 0,72 g Schwefel und 10 ml TOP als Schwefelvorläufer gemischt. Um InP/ZnS Kern/Schale QDs zu synthetisieren, wurde 1 ml Schwefelvorläufer langsam in die InP QDs-Lösung bei 180 °C injiziert. 40 min nach Injektion des Schwefelvorläufers wurde die Lösung mit InP QDs und Schwefelvorläufer auf 200 °C erhitzt und dann mit 4 ml Zinkvorläufer versetzt. Nach 60 min wurde die Lösung mit InP QDs, Schwefelvorläufer und Zinkvorläufer 30 min bei 220 °C erhitzt, um das Wachstum der ZnS-Schale auf den InP-Kern zu ermöglichen. Danach wurde zusätzlicher Schwefelvorläufer (0,7 ml) zur Lösung mit InP/ZnS Kern/Schale QDs für das zweite Wachstum der ZnS-Schale zugegeben. Nach der zweiten Injektion des Schwefelvorläufers wurde die Lösung auf 240 °C erhitzt und 30 min bei 240 °C gehalten. Nach 30 min wurde der Zinkvorläufer (2 ml) zur Lösung mit InP/ZnS Kern/Schale QDs und zweiter Injektion des Schwefelvorläufers zugegeben. Nach der zweiten Injektion des Zinkvorläufers wurde die Lösung auf 260 °C erhitzt, um das Wachstum 30 min fortzusetzen. Für die Herstellung von rot und gelb fluoreszierenden InP/ZnS Kern/Schale QDs wurden die Indiumvorläufer InCl₃ und InBr₃ jeweils verwendet, um rot und gelb fluoreszierende InP/ZnS Kern/Schale QDs zu synthetisieren. Nach den Syntheseprozessen wurde die Lösung der InP/ZnS Kern/Schale QDs auf Raumtemperatur abgekühlt. Um unreaktierte Verbindungen und Nebenprodukte zu entfernen, wurde die Lösung der InP/ZnS Kern/Schale QDs mit einer kleinen Menge Aceton gewaschen und dann 15 min bei 4000 rpm zentrifugiert. Nach der Zentrifugation wurde der Überstand sorgfältig ohne Störung entfernt. Der Niederschlag wurde in dem aus Chloroform und Aceton (20/80, v/v) zusammengesetzten Lösungsmittel redispergiert und dann 15 min bei 4000 rpm zentrifugiert. Nach Entfernen des Überstands wurden die InP/ZnS Kern/Schale QDs in Chloroform für weitere QD-LED-Anwendungen dispergiert.

Thermische Stabilitätstest von InP/ZnS Kern/Schale QDs

Um die thermische Stabilität zu testen, wurde die InP/ZnS Kern/Schale QD-Lösung zuerst durch Spin-Coating (1500 rpm, 60 s) auf Glasscheiben abgeschieden. Dann wurden die mit InP/ZnS Kern/Schale QDs beschichteten Glasscheiben jeweils unter Temperaturen von 25, 70, 100, 130 und 150 °C geglüht. Nach dem Glühen mit unterschiedlichen Zeiten wurde die Fluoreszenz der mit InP/ZnS Kern/Schale QDs beschichteten Glasscheiben mit einem Gel/Fluoreszenz/Chemilumineszenz-Bildgebungssystem gemessen. Die Änderungen der Fluoreszenz der mit InP/ZnS Kern/Schale QDs beschichteten Glasscheiben wurden mit der ImageJ-Software berechnet.

Materialcharakterisierung

Ein Philips Technai G2 Transmissionelektronenmikroskop (TEM) wurde bei 200 kV betrieben, um TEM-Bilder aufzunehmen. Zur TEM-Probenvorbereitung wurden die InP/ZnS Kern/Schale QDs ultraschallartig in Chloroform dispergiert und dann ein Tropfen der InP/ZnS Kern/Schale QD-Lösung auf ein Kupfer-Kohlenstoff-TEM-Gitter aufgebracht. Anschließend wurde das resultierende TEM-Gitter an der Luft getrocknet. Röntgenbeugung (XRD) Messungen wurden mit einem Bruker D8 Advance durchgeführt, betrieben mit Cu Kα-Strahlung (λ = 1,5406 Å) erzeugt bei 40 keV und 40 mA. UV-Vis Absorptionsspektren wurden mit einem V-770ST UV/Vis Spektrophotometer gemessen. Fluoreszenzspektren wurden mit einem SLM Aminco-Bowman Series 2 erhalten.

Herstellung von mehrschichtigen InP/ZnS Kern/Schale QD-LEDs

Mehrschichtige InP/ZnS Kern/Schale QD-LEDs wurden durch sequenzielle Abscheidung der Bestandschichten einschließlich Lochinjektionsschicht (HIL), Lochtransports schicht (HTL), Emissionsschicht (InP/ZnS Kern/Schale QDs, EML), Exzitonenblockschicht (EBL), Elektronentransports schicht (ETL) und Elektroneneinjektionsschicht (EIL) auf dem Substrat von AU Optronics (AUO) normales Bottom-Emission (BE) Modelltest (MT) hergestellt. Die Bestandschichten HIL, HTL, EBL, ETL, EIL und Substrat von AUO normales BE MT wurden von der AU Optronics Corporation bereitgestellt. Für die Herstellung der mehrschichtigen InP/ZnS Kern/Schale QD-LEDs wurden die Schichten HIL, HTL und EML sequenziell durch Spin-Coating auf dem Substrat von AUO normales BE MT abgeschieden. Die Lösungs-konzentration der InP/ZnS Kern/Schale QDs betrug 20 mg/ml. Die Lösung der InP/ZnS Kern/Schale QDs (20 mg/ml) wurde spin-beschichtet (1500 rpm) um die EML zu bilden. Anschließend wurde zum Trocknen der EML das Substrat von AUO normales BE MT mit HIL, HTL und EML bei 70 °C gebacken. Schließlich wurden die Schichten EBL, ETL, EIL und Al-Kathode sequenziell auf der EML durch thermische Verdampfung abgeschieden. Der Lichtemissionsbereich der mehrschichtigen InP/ZnS Kern/Schale QD-LEDs betrug 0,2 × 0,2 cm². Die Schichtdicke der mehrschichtigen InP/ZnS Kern/Schale QD-LEDs wurde mit dem α-Step-Apparat gemessen. Die Leistung der mehrschichtigen InP/ZnS Kern/Schale QD-LEDs wurde mit PR670 Photometern (Titan Electro-Optics Co., Ltd) detektiert.

Ergebnisse und Diskussion

Charakterisierung von InP/ZnS Kern/Schale QDs

InP/ZnS Kern/Schale QDs wurden durch solvothermale grüne Synthese mit billigen, sichereren und umweltfreundlichen Vorläufern einschließlich InI₃, ZnCl₂, (DMA)₃P, Zinkstearat und Schwefel im Vergleich zu früheren Studien hergestellt. In vorherigen Arbeiten wurde gezeigt, dass ZnCl₂ das ZnS-Schalenwachstum erleichtert und die Größenverteilung des InP-Kerns reduziert. Für die Bildung des InP-Kerns wurde der Phosphorvorläufer (DMA)₃P wegen seines niedrigen Preises verwendet. Noch wichtiger ist, dass (DMA)₃P unter Umgebungsbedingungen stabil ist, was die Sicherheit der InP-Synthese verbessert. Wie im TEM-Bild von Abb. 1 gezeigt, wiesen die InP/ZnS Kern/Schale QDs eine kugelförmige Morphologie auf. Nach Statistik von 100 QDs im TEM-Bild betrug der durchschnittliche Durchmesser der InP/ZnS Kern/Schale QDs ~ 4 nm. Histogramm der Größenverteilung der InP/ZnS Kern/Schale QDs und Gauss-Anpassung sind in der Zusatzdatei 1: Abbildung S1 gezeigt. Die EDX-Analyse der InP/ZnS Kern/Schale QDs zeigte, dass die atomaren Prozentsätze von Phosphor, Schwefel, Zink und Indium jeweils 21,20, 4,17, 69,27 und 5,36 % betrugen wie in Zusatzdatei 1: Abbildung S2 gezeigt.

Zur Bestätigung der Struktur der InP/ZnS Kern/Schale QDs wurde das Röntgenbeugungsmuster (XRD) untersucht (Abb. 2). Die Hauptpeaks der InP QDs (JCPDS 73-1983) bei 26,3°, 43,6° und 51,6° wurden den (111), (220) und (311) Ebenen der Zinkblende-Struktur zugeordnet. Die bei 28,5°, 47,4° und 56,3° befindlichen Peaks entsprachen jeweils den (111), (220) und (311) Ebenen der Zinkblende-Struktur (JCPDS 77-2100) für ZnS. Das XRD-Muster zeigte, dass die Beugungspeaks von InP und ZnS in den InP/ZnS Kern/Schale QDs zu Positionen zwischen ihren theoretischen Werten verschoben waren. Der Grund wurde auf den Gitterfehlpass zwischen InP und ZnS zurückgeführt, wie zuvor für CdSe/CdS Kern/Schale QDs demonstriert. Wie im XRD-Muster gezeigt, offenbarte der Gitterfehlpass auch, dass die InP/ZnS Kern/Schale QDs erfolgreich durch solvothermale grüne Synthese mit den billigen, sicheren und umweltfreundlichen Vorläufern erhalten wurden.

Zur weiteren Untersuchung der optischen Eigenschaften wurden (UV-Vis) Spektren und Fluoreszenzspektren der InP/ZnS Kern/Schale QDs vor der Herstellung von QD-LEDs gemessen. In Abb. 3 lag der Absorptionspeak der InP/ZnS Kern/Schale QDs bei ~ 480 nm. Der maximale Fluoreszenzemissionspeak der InP/ZnS Kern/Schale QDs wurde bei ~ 530 nm erhalten. In den Fluoreszenzspektren wurde die volle Breite bei halber Maximalhöhe der InP/ZnS Kern/Schale QDs auf ~ 55 nm berechnet. Die Fluoreszenzquantenausbeute der InP/ZnS Kern/Schale QDs wurde auf 60,1 % im Vergleich zu Fluorescein geschätzt (siehe Zusatzdatei 1 für die Berechnung der Fluoreszenzquantenausbeute). Das Inset in Abb. 3 zeigte die grüne Fluoreszenz der InP/ZnS Kern/Schale QDs bei Bestrahlung mit einer handgehaltenen Langwellen-UV-Lampe. Die hervorragenden optischen Eigenschaften der InP/ZnS Kern/Schale QDs sind geeignet für die Herstellung grüner QD-LEDs. Darüber hinaus wurden auch InP/ZnS Kern/Schale QDs mit roter und gelber Fluoreszenz erfolgreich durch die solvothermale grüne Synthese hergestellt, wie in Zusatzdatei 1: Abbildung S3 gezeigt.

Leistung von InP/ZnS Kern/Schale QD-LEDs

Die thermische Stabilität der Fluoreszenz von InP/ZnS Kern/Schale QDs ist ein wichtiger Faktor für die Herstellung und Leistung von QD-LEDs. Um die thermische Stabilität der Fluoreszenz zu untersuchen, wurden die InP/ZnS Kern/Schale QDs unter verschiedenen Temperaturen geglüht. Wie in Abb. 4 gezeigt, nahmen die Fluoreszenzintensitäten der InP/ZnS Kern/Schale QDs mit Glühtemperaturen von 25 bis 150 °C in der ersten Stunde ab. Frühere Studien haben den Fluoreszenzabfall von QDs mit steigender Temperatur demonstriert. Allerdings stiegen die Fluoreszenzintensitäten der InP/ZnS Kern/Schale QDs nach 1 Stunde Glühen leicht an. Der einfache Glühprozess verringerte die akkumulierten Defektzustände innerhalb der InP/ZnS Kern/Schale QDs und verringerte dadurch die nicht-strahlende Rekombination. Obwohl die Fluoreszenzintensität der InP/ZnS Kern/Schale QDs keine signifikante Änderung mit Glühtemperatur unter 25 °C zeigte, war die Glühtemperatur von 25 °C nicht für die Herstellung von QD-LEDs geeignet. Während der QD-LED-Vorbereitung beträgt die minimale Prozesstemperatur 70 °C, da die QD-LEDs über 70 °C gebacken werden müssen, um die Geräte zu trocknen. Wie in Abb. 4 gezeigt, wurden nach 5 h Glühen die Fluoreszenzintensitäten der InP/ZnS Kern/Schale QDs mit Glühtemperaturen von 70, 100, 130 und 150 °C jeweils bei 88, 81, 77 und 66 % im Vergleich zu QDs ohne Glühprozess aufrechterhalten. Daher wurde zur Erlangung der besten Leistung die Prozesstemperatur für die InP/ZnS Kern/Schale QD-LED-Herstellung auf 70 °C gewählt.

Mehrschichtige InP/ZnS Kern/Schale QD-LEDs wurden durch sequenzielle Spin-Abscheidung der Bestandschichten einschließlich HIL (30 nm), HTL (20 nm), InP/ZnS Kern/Schale QDs (EML, 26 nm), EBL (10 nm), ETL (22 nm) und EIL (1 nm) auf ITO-Glassubstrat hergestellt. Schließlich wurde ein 150-nm-dicker Al-Film thermisch als Kathode abgeschieden. Abbildung 5 zeigt die Energieniveaus der Einzelschichten der mehrschichtigen InP/ZnS Kern/Schale QD-LEDs. Die Leuchtdichte-Spannungskennlinie der mehrschichtigen InP/ZnS Kern/Schale QD-LEDs ist in Abb. 6a dargestellt. Die Einschaltspannung der mehrschichtigen InP/ZnS Kern/Schale QD-LEDs betrug ~ 5 V. Darüber hinaus zeigten die mehrschichtigen InP/ZnS Kern/Schale QD-LEDs die höchste Leuchtdichte (160 cd/m²) bei 12 V. Für die Stromdichte-Spannungskennlinie erschien der Strom der mehrschichtigen InP/ZnS Kern/Schale QD-LEDs bei ~ 5 V und stieg auf 1,09 mA/m² bei 5,7 V wie in Abb. 6b gezeigt. Die Ergebnisse zeigten die effiziente Injektion von Löchern und Elektronen in die InP/ZnS Kern/Schale QDs-Schicht. Die Stromeffizienz als Funktion der Leuchtdichte für mehrschichtige InP/ZnS Kern/Schale QD-LEDs ist in Abb. 6c dargestellt. Eine maximale Stromeffizienz von 0,65 cd/A und externe Quantenausbeute von 0,223 % wurden mit mehrschichtigen InP/ZnS Kern/Schale QD-LEDs bei Leuchtdichte ~ 20 cd/m² erreicht. Obwohl die Effizienz der mehrschichtigen InP/ZnS Kern/Schale QD-LEDs in dieser Arbeit noch nicht für praktische Anwendungen wie Displays ausreicht, bleibt die Entwicklung von QD-LEDs mit umweltfreundlichen Materialien, niedrigen Kosten und hoher Leistung ein Schlüsselthema, um sie wettbewerbsfähiger für praktische Anwendungen zu machen.

Schlussfolgerungen

Schwermetallfreie InP/ZnS Kern/Schale QDs mit unterschiedlicher Fluoreszenz wurden erfolgreich durch solvothermale grüne Synthese mit billigen, sichereren und umweltfreundlichen Vorläufern einschließlich InI₃, ZnCl₂, (DMA)₃P, Zinkstearat und Schwefel im Vergleich zu früheren Studien hergestellt. Die TEM-Charakterisierungsergebnisse zeigten, dass die InP/ZnS Kern/Schale QDs mit grüner Fluoreszenz die kugelförmige Morphologie mit durchschnittlichem Durchmesser ~ 4 nm aufwiesen. Das XRD-Muster demonstrierte den Gitterfehlpass der InP/ZnS Kern/Schale QDs für Kern/Schale-Struktur. Für die optischen Eigenschaften wurden die grün fluoreszierenden InP/ZnS Kern/Schale QDs mit überlegener Fluoreszenzquantenausbeute von 60,1 % und voller Breite bei halber Maximalhöhe von 55 nm als Emissionsschicht zur Herstellung mehrschichtiger QD-LEDs verwendet. Die optimale Prozesstemperatur wurde für die InP/ZnS Kern/Schale QD-LED-Herstellung auf 70 °C gewählt, um die beste Leistung zu erhalten. Die mehrschichtigen InP/ZnS Kern/Schale QD-LEDs zeigten die Einschaltspannung bei ~ 5 V, die höchste Leuchtdichte (160 cd/m²) bei 12 V und die externe Quantenausbeute von 0,223 % bei 6,7 V. Obwohl die mehrschichtigen InP/ZnS Kern/Schale QD-LEDs hergestellt wurden, bleibt die Langzeitstabilität der Geräte eine große Herausforderung. Die mehrschichtigen InP/ZnS Kern/Schale QD-LEDs mit niedrigen Kosten und Umweltfreundlichkeit könnten ein potenzieller Kandidat für zukünftige Display-Anwendungen sein.