Schnelle Größenrekonfiguration von MBE-gewachsenen Ga-Tröpfchen durch In-situ UV-Pulslaserbestrahlung

Zusammenfassung

Eine durch MBE präparierte Gallium (Ga)-Tröpfchenoberfläche auf GaAs (001) Substrat wird in situ durch einen einzelnen Schuss eines UV-Pulslasers bestrahlt. Es zeigt sich, dass der Laserschuss die Größe der Ga-Tröpfchen leicht neu einstellen kann und ein spezielles Ga-Tröpfchen mit extrem breiter Größenverteilung mit Breiten von 16 bis 230 nm und Höhen von 1 bis 42 nm erfolgreich erhalten wird. Aufgrund der energetischen Inhomogenität über den Laserfleck kann die Modifikation des Tröpfchens als Funktion der Bestrahlungsintensität (IRIT) direkt an einer Probe untersucht und die korrelierten Mechanismen geklärt werden. Systematisch kann die Laserneugestaltung als follows wahrgenommen werden: Bei niedrigem Bestrahlungsniveau erweitert die Lasererwärmung die Tröpfchen nur, um Verschmelzungen unter ihnen zu bewirken, so dass in diesem Stadium die Tröpfchengrößenverteilung ausschließlich auf die große Seite verschoben wird; bei hohem Bestrahlungsniveau verursacht die Laserbestrahlung nicht nur thermische Expansion, sondern auch thermische Verdampfung von Ga-Atomen, was die Größenverschiebung auf beide Seiten bewegt. All diese Größenverschiebungen an Ga-Tröpfchen können durch Anlegen unterschiedlicher Laser-IRIT stark kontrolliert werden, was eine besser designbare Tröpfchenepitaxie in der Zukunft ermöglicht.

Einleitung

Mit der zunehmenden Entwicklung sowohl der Grundlagenphysik als auch der praktischen Anwendungen besteht eine große Nachfrage nach der Realisierung verschiedener Bauelemente. Es wurde weitreichend demonstriert, dass verschiedene Bauelemente und Strukturen durch Anwendung von metallischen Nanopartikeln konstruiert werden können [1,2,3,4,5]. Als wichtiger Vertreter hat die Tröpfchenepitaxie, die auf metallischen Tröpfchen (Nanopartikeln) basiert, seit ihrer Vorschlag durch Koguchi et al. [6] im Jahr 1991 kontinuierlich weltweite Forschungsinteressen und -bemühungen auf sich gezogen, da sie fast alle Arten von niedrigdimensionalen Nanostrukturen abdecken kann, einschließlich, aber nicht beschränkt auf Quantenpunkte [7, 8], Quantenringe [9,10,11] und Quantendrähte [12, 13]. Besonders kürzlich wurden einige sehr eigentümliche Strukturen von Quantenpunkt-Paaren [14, 15], Quantenpunkt-Molekülen [16, 17], Doppelringen [18] und mehrfachen konzentrischen Ringen [19, 20] erfolgreich durch Tröpfchenepitaxie realisiert. Im Allgemeinen kombiniert die Tröpfchenepitaxie üblicherweise zwei Schritte: die Vorformation von metallischen Tröpfchen und die anschließende Kristallisation [21, 22]. Die Größenkontrolle der Tröpfchen während des Tröpfchenbildungs-Schritts ist ein Schlüsselpunkt für die gesamte Tröpfchenepitaxie, da sie nicht nur die endgültige Größe der Quantenstruktur direkt bestimmt, sondern auch definiert, zu welcher Art von Nanostruktur die Tröpfchen werden. Zum Beispiel kann ein schneller Wechsel zwischen Quantenpunkten und Quantenringen durch Abstimmung der Tröpfchengröße empfindlich ausgelöst werden, und die oben genannten mehrfachen konzentrischen Ringe werden ausschließlich auf Ga-Tröpfchen von beträchtlich großer Größe aufgebaut. Wie gut berichtet ist, ist die Temperatur der wesentlichste Faktor für die Einstellung der Tröpfchengröße; um das Tröpfchen zu vergrößern, muss die Temperatur erhöht werden [23, 24]. Typischerweise hat Fuster et al. die Temperatur auf bis zu 500 °C erhöht, um erfolgreich ein riesiges Ga-Tröpfchen mit 45 nm Höhe und 240 nm Breite zu erhalten [25]. Allerdings wird die Tröpfchenätzung in das Substrat durch Erhöhen der Temperatur drastisch intensiviert [26,27,28,29]. Durch diese Art von Nano-Bohrer werden die Elemente der Tröpfchen vor der anschließenden Kristallisation verbraucht, und auch eine parasitäre Struktur von Nano-Löchern entwickelt sich unter dem Tröpfchen, die die Ziel-Quantenstruktur verunreinigen kann. Zh. M. Wang et al. haben bewiesen, dass Ga-Tröpfchen vollständig verschwinden und durch vulkanartige Nano-Löcher ersetzt werden können, nachdem sie bei 500 °C für 80 s ohne Arsen (As) Zufuhr geglüht wurden [30]. Offensichtlich kann das Erhöhen der Temperatur die Tröpfchen zerstören, aber um sie größer wachsen zu lassen, muss man dies tun - ein unauflösbarer Widerspruch in der traditionellen Tröpfchenepitaxie. Daher ist es von großer Bedeutung, eine Technologie zu finden, die temperatrunabhängig die Tröpfchengröße modifizieren kann.

In dieser Arbeit wurden Ga-Tröpfchen mit einer ursprünglichen Morphologie von Dichte: 4,1 × 10¹⁰/cm², Breite: 37-65 nm und Höhe: 4-9 nm auf GaAs (001) Substrat (Sub) durch MBE hergestellt und dann sofort verwendeten wir einen UV-Pulslaser, um die präparierte Oberfläche in situ zu bestrahlen. Beeindruckend verhält sich der Laserschuss als gute Modifikation der Tröpfchengröße, und das involvierte Prinzip der Neugestaltung durch LIR wird systematisch präsentiert. Nach der Bestrahlung erweitern sich die Höhe und Breite der Tröpfchen auf einen Bereich von 1-42 nm und 16-230 nm, d.h., wir haben extrem große Tröpfchen mit einer Breite von bis zu 230 nm und einer Höhe von bis zu 42 nm direkt bei einer sehr niedrigen Temperatur von 180 °C erfolgreich erreicht. So wird hier eine Technologie zur Neugestaltung der Tröpfchen mit sowohl Sicherheit als auch Effizienz berichtet. Dies muss der aktuellen Tröpfchenepitaxie große Freiheit der Größenkontrolle verleihen und sie machbarer und flexibler machen.

Experimentelle Methoden

Die Experimente wurden an einer speziell entwickelten MBE durchgeführt, die mit einem Laser-Viewport ausgestattet ist, um den gepulsten Laserstrahl in situ in die Kammer einzuführen. Derzeit installiert dieses Prototypsystem nur drei Quellen-Zellen für Indium (In), Ga und As. Die Wachstumstemperatur wird durch den Pyrometer überwacht, der kalibriert ist. Zur Überwachung des Wachstums ist auch die Reflexions-Hochenergie-Elektronenbeugung enthalten. Zunächst wurde ein deoxidiertes GaAs (001) 2-Zoll-Viertel-Substrat mit einer 300 nm GaAs-Pufferschicht bei 600 °C beschichtet, und der BEP von As₂ wurde auf 7,6 × 10⁻⁶ Torr eingestellt. Dann wurde das As-Ventil vollständig geschlossen und die Substrattemperatur vorübergehend auf 400 °C gesenkt, um die überschüssigen As-Atome ausreichend durch die flüssig-stickstoffgekühlte Kältefalle einfangen zu lassen und gleichzeitig die Absorption von As auf der Oberfläche zu vermeiden. Bis der As-Umgebungsdruck auf etwa 1,2 × 10⁻⁹ Torr reduziert war, was fast dem besten Druck ((9,5 ~ 11) × 10⁻¹⁰ Torr) entspricht, der vor dem Wachstum erreicht werden kann, um restliches As₂ zu vermeiden, wurde die Substrattemperatur weiter auf 180 °C gesenkt, um die Tröpfchen jeweils mit einer Ga-Wachstumsrate von 0,168 ML/s und einer Gesamtabscheidungsdicke von 4 MLs zu bilden. Sobald das Ga-Tröpfchenwachstum abgeschlossen war, wurde die Probe in situ durch nur einen einzelnen Schuss eines Mono-Strahls eines frequenzverdreifachten Neodym-Yttrium-Aluminium-Granat-Lasers (Wellenlänge: 355 nm / Pulsdauer: 10 ns) mit einer Energie von 35 mJ bestrahlt. Nach der Bestrahlung wurde die Probe sofort entnommen, um den Oberflächenmorphologie-Test im AFM-Tapping-Modus durchzuführen. Da der Laserfleck (6 mm/Durchmesser) viel kleiner als das 1/4 2-Zoll-Substrat ist, können sowohl der nicht-bestrahlte Bereich (NIR) als auch der bestrahlte Bereich (IR) zusammen zum Vergleich verwendet werden. Für den IR kann aufgrund der Gauss-ähnlichen Intensitätsverteilung des Laserflecks die Morphologieentwicklung des Tröpfchens als Funktion der IRIT auf dieser Probe auf einmal beobachtet werden. Daher wurden in der folgenden Diskussion fünf repräsentative Standorte, definiert als Bestrahlung-1 (IR1) bis Bestrahlung-5 (IR5) in der IRIT-Reihenfolge E_IR1 < E_IR2 < E_IR3 < E_IR4 < E_IR5, aus dem IR für die Analyse ausgewählt, und die genauen Positionen dieser in Bezug auf den Laserfleck sind in der Top-Darstellung von Abb. 1 markiert. Wie gezeigt, entspricht die Position von IR5 dem Zentrum des Laserflecks (markiert als 0-Position), dann scannen wir linear nach rechts, nach jeder Bewegung von 0,5 mm wurde ein AFM-Bild aufgenommen (entsprechend IR4-IR1 in Sequenz). Schließlich bewegten wir uns vollständig außerhalb des Flecks und nahmen das AFM-Bild auf, definiert als NIR (d.h., die ursprüngliche Morphologie der präparierten Ga-Tröpfchen).

AFM-Morphologieergebnisse der Tröpfchen in a NIR und b-f IR1-IR5; die entsprechenden Histogramme der Breiten- und Höhenverteilung jeweils in (g und m) NIR und (h-l und n-r) IR1-IR5; die Top-Darstellung zeigt die genauen Positionen von NIR und IR1-IR5 in Bezug auf den Laserfleck

Ergebnisse und Diskussion

Abbildung 1a-f präsentieren die AFM-Morphologieergebnisse der Tröpfchen in NIR und IR1-IR5. (g-l) und (m-r) sind die entsprechenden Histogramme der Breiten- und Höhenverteilung. Da die Tröpfchen bei Temperaturen von nur 180 °C gefertigt wurden, erreicht in NIR (Abb. 1a) die ursprüngliche Dichte bis zu 4,1 × 10¹⁰/cm² und Breite und Höhe sind beide typisch gaußverteilt mit dominierendem Modus von 45-55 nm und 4-8 nm (jeweils in Abb. 1g, m gezeigt). Die maximalen und minimalen Größen entsprechen ~ 65 nm breit / ~ 9 nm hoch und ~ 37 nm breit / ~ 4 nm hoch. Die Tröpfchen in IR1 (Abb. 1b) sehen dem NIR sehr ähnlich. Es können keine eindeutigen Veränderungen im Vergleich von Abb. 1h und (g) oder (n) und (m) unterschieden werden. Die Tröpfchen in IR1 haben die gleiche maximale und minimale Größe wie NIR. Während in IR2 (Abb. 1c) und IR3 (Abb. 1d) die Tröpfchengröße beginnt, durch den Laserschuss modifiziert zu werden. Einige vergrößerte Tröpfchen erscheinen auf der Oberfläche mit einer Reduktion der Dichte. Besonders für IR3 haben Tröpfchen über der ehemaligen maximalen Breite (65 nm) einen Anteil von 55% ausgemacht (Abb. 1j) und entsprechend 37% für den Anteil über der ehemaligen maximalen Höhe (Abb. 1p). Gleichzeitig hat sich die Gesamtdichte auf nur 1/3 der ursprünglichen Dichte reduziert. Insgesamt ist nach der Laserneugestaltung die Größenverteilung der Tröpfchen in entweder IR2 oder IR3 ausschließlich auf die große Seite verschoben, d.h., keine Tröpfchen auf der kleinen Seite der ursprünglichen Verteilung in NIR werden beobachtet. Für die Tröpfchen in IR4 und IR5 verteilen sich die Verteilungen jedoch nicht nur auf die große Seite, sondern erstrecken sich auch auf die kleine Seite: Abb. 1e, f zeigen die Ergebnisse von IR4 und IR5, mit fortgesetzter Reduktion der Dichte, ist in Abb. 1k-l und q-r klar zu sehen, dass die Tröpfchengrößenverteilungen weiter auf die große Seite verschoben sind. Besonders in IR5 ist das maximale Tröpfchen (Breite: 230 nm / Höhe: 42 nm) fast viermal größer als das maximale in NIR (Breite: 65 nm / Höhe: 9 nm) und eine so große Größe wird an so niedriger Temperatur nirgendwo anders berichtet. Außerdem werden einige kleine Tröpfchen unter der ursprünglichen Minimalgröße erzeugt, und einige von ihnen sind ultra-mini mit nur 16 nm Breite und 1 nm Höhe. So wird die Entwicklung der Lasermodifikation der Ga-Tröpfchen mit IRIT vollständig beobachtet und demonstriert gut, dass der Laserschuss die Ga-Tröpfchen leicht neu dimensionieren kann.

Um die obigen experimentellen Daten zu interpretieren, wurden erstens fünf partielle Bereiche, ausgewählt aus NIR und IR1-IR4, vergrößert und in Abb. 2a-e dargestellt. Zweitens berechneten wir zusätzlich das äquivalente Volumen (EV) der Ga-Tröpfchen in NIR und IR1-IR5. In der Berechnung wird das Querschnittsprofil des Ga-Tröpfchens annähernd als Kugelkappenmodus angenommen [26], dann kann das Volumen jedes Tröpfchens durch

$$V = \pi r^3 (2 - 3\cos\theta + \cos^3\theta) / 3\sin^3\theta$$ (1)

gegeben werden, wobei r der Tröpfchenradius und θ der Kontaktwinkel sind. Schließlich wurden die EVs für NIR und IR1-IR5 durch Summieren des Volumens aller Tröpfchen in Abb. 1a-f entsprechend gezählt. Abbildung 2f zeigt die normalisierten EV-Ergebnisse (Dreiecke) und die normalisierten Dichtedaten (Quadrate) sind ebenfalls enthalten. Dann könnte die gesamte Entwicklung der Laserneugestaltung in drei Stadien unterteilt werden: im ersten Stadium (NIR-IR1): Die ursprünglichen Tröpfchen in NIR (Abb. 2a) stehen sehr nah beieinander und die Umgebung jedes Tröpfchens ist klar und flach (siehe Zeichnung), was in Abb. 2a' skizziert ist. Für IR1 (wobei mit einer sehr niedrigen Intensität bestrahlt wird), im Vergleich zum NIR, sind die Größenverteilung, Dichte und EV fast unverändert, aber eine entstehende Nano-Ring-Struktur wird beobachtet, die die Tröpfchen umgibt, markiert durch weiße Pfeile in Abb. 2b. Wir führen dies auf die Expansion der Tröpfchen zurück, die durch Lasererwärmung induziert wird. Wie in Abb. 2b' gezeigt, wird der Laser die Tröpfchen nach der Bestrahlung erwärmen, um sie zu expandieren (die bekannte thermische Expansion). Während die Expansion nicht stark genug ist, um Koaleszenz der Tröpfchen aufgrund des begrenzten Überkreuzens zu bewirken. Wenn die Wärme dissipiert, entspannen die Tröpfchen zurück in den ursprünglichen Gleichgewichtszustand, hinterlassen aber die Spuren der Expansion, die als Ring geformt sind, der das entspannte Tröpfchen umgibt (siehe schwarzen Pfeil). Daher ist in diesem Stadium die IRIT zu schwach, um die Tröpfchen neu zu dimensionieren; im zweiten Stadium (IR2-IR3): In Abb. 2c für IR2 wird der experimentelle Nachweis der Tröpfchen-Koaleszenz beobachtet und mit einem gelben gepunkteten Rechteck hervorgehoben. Das markierte Tröpfchen wird von einem Nano-Loch (weißer Pfeil) benachbart und ist viel größer als jedes in NIR mit einer Größe von 70 nm breit und 12 nm hoch. Dies kann durch die Koaleszenz zweier Tröpfchen erklärt werden, wie in Abb. 2c' gezeigt: Für A_Tröpfchen und B_Tröpfchen wird die Expansion mit steigender IRIT verstärkt, was zu mehr Überkreuzung zwischen ihnen führt, und dann wird das stärkere Überkreuzen A_Tröpfchen wahrscheinlich zufällig in B_Tröpfchen verschmelzen lassen, wobei gleichzeitig ein von A_Tröpfchen vorgebohrtes Nano-Loch zurückbleibt. Im Vergleich zu IR2 werden in Abb. 2d für IR3 Koaleszenzen von drei (siehe gelbes gepunktetes Rechteck / Abb. 2d') oder sogar mehr Tröpfchen entdeckt, was einen stärkeren Effekt der Laserneugestaltung reflektiert. Daher können die statistischen Daten der Größenverteilung und Dichte für IR2 und IR3 als Ergebnis der Koaleszenz erklärt werden. Darüber hinaus, wie in Abb. 2f zu sehen, behalten sowohl IR2 als auch IR3 noch das gleiche EV-Niveau wie NIR im Gegensatz zur scharfen Reduktion der Dichte. Das bedeutet, dass in diesem Stadium der Laserschuss die Tröpfchen nur durch thermische Expansion ohne Verlust von Ga-Atomen neu dimensioniert. Allerdings im dritten Stadium von IR4-IR5: das EV der Tröpfchen beginnt stark abzunehmen. Es zeigt an, dass der LIR nicht nur die Tröpfchen expandieren wird, sondern auch mit thermischer Verdampfung von Ga-Atomen einhergeht. Sobald die IRIT einen bestimmten Wert überschreitet, kann der gepulste Laser das Tröpfchen instantan über den Verdampfungsschwellenwert von Ga erhitzen. So wird die Neugestaltung der Tröpfchen in diesem Stadium durch Koaleszenz und Verdampfung gemeinsam gesteuert. Abb. 2e' veranschaulicht das Zusammenspiel: Wenn die Koaleszenz den Verlust von Ga durch thermische Verdampfung nicht kompensiert, wird die Tröpfchengröße schrumpfen (siehe das markierte Mini-Tröpfchen in Abb. 2e) und andernfalls wird sie zunehmen. Besonders können einige riesige Tröpfchen (siehe das markierte riesige Tröpfchen in Abb. 2e) durch Koaleszenz von Multi-Tröpfchen unter bestimmter Wahrscheinlichkeit erzeugt werden. Dann kann dieser Art von Wettbewerb gut erklären, warum die Größenverschiebung von IR4 und IR5 speziell auf beide Seiten erweitert wird. Bisher wurde die Neugestaltung der Tröpfchen durch in-situ gepulsten LIR in den Perspektiven sowohl der Leistung als auch des Prinzips gut untersucht. Um die Arbeit besser zu organisieren, haben wir im Folgenden zwei weitere geplante Experimente durchgeführt.

Vergrößerungen der AFM-Morphologieergebnisse bezüglich a NIR und b-e IR1-IR4 und die entsprechenden Zeichnungen der Morphologiedynamik für (a') NIR und (b'-e') IR1-IR4, für eine bequeme Diskussion werden Tröpfchen mit der typischen Morphologieeigenschaft jeder Vergrößerung sorgfältig ausgewählt und mit gelben gepunkteten Rechtecken markiert; f Normalisierte Dichte- und äquivalente Volumenergebnisse der Tröpfchen in Abb. 1a/NIR, Abb. 1b/IR1, Abb. 1c/IR2, Abb. 1d/IR3, Abb. 1e/IR4 und Abb. 1f/IR5

Einerseits, gemäß dem Prinzip unserer Erklärung der thermischen-Expansions-induzierten Koaleszenz, ist neben der IRIT der Inter-Tröpfchen-Abstand, d.h., die Dichte der Tröpfchen, der andere Schlüsselparameter. Wie in Abb. 3a gezeigt, wenn wir zwei Tröpfchen in einem größeren Abstand trennen (von d1 zu d2), sollte die Koaleszenz relativ inhibiert werden, resultierend aus dem reduzierten Überkreuzen während der gleichen thermischen Expansion. Daher bereiteten wir eine neue Tröpfchenprobe bei einer Temperatur von 280 °C vor. Als die Temperatur erhöht wurde, verringerte sich die Tröpfchendichte von NIR (Abb. 3b) rapide auf 5 × 10⁹/cm², fast 1/8 der Probe bei 180 °C, und der Zwischenraum zwischen den Tröpfchen wurde effektiv vergrößert. Nach der Bestrahlung, wie in Abb. 3c zu sehen, haben die Tröpfchen immer noch die gleiche Dichte wie NIR, sind aber von sehr bemerkenswerten angrenzenden Ringen umkreist (siehe weiße Pfeile). Es reflektiert, dass die Koaleszenz tatsächlich verhindert wird, selbst mit starker thermischer Expansion, und festigt unsere Erklärung somit kraftvoll.

a Grafische Illustration des Effekts des Inter-Abstands auf die Koaleszenz zwischen zwei Tröpfchen; AFM-Morphologieergebnisse der bei 280 °C gewachsenen Tröpfchen b vor und c nach Bestrahlung

Andererseits ist es wert darauf hinzuweisen, dass die Nano-Löcher (Abb. 4a), die in unserer Arbeit beobachtet werden, sehr flach sind mit Tiefen von Sub-Nanometer (weniger als drei Atomlagen) (siehe Inset). So beeindruckend, wird der Bohr-Effekt der Tröpfchen streng unterdrückt und könnte fast vernachlässigt werden, was von der niedrigen Substrattemperatur profitiert. Um das potenzielle Risiko des Nano-Bohrens bei steigender Temperatur für die Tröpfchen darzustellen, fertigten wir eine weitere Probe bei einer hohen Temperatur von 350 °C an. Nach Abschluss des Wachstums sank die Substrattemperatur nicht sofort, sondern mit einer kurzen Unterbrechung von nur 2 min vor dem schnellen Abkühlen. Abb. 4b zeigt das Morphologieergebnis, wir konnten sehen, dass ein schwerer Bohreffekt aufgetreten ist und die Tröpfchen schlecht zerstört hat. Und einige Tröpfchen (siehe Pfeile) sind sogar vollständig erodiert und durch Nano-Löcher mit Ätztiefe von mehreren Nanometern ersetzt worden (siehe Inset). Im Gegensatz dazu, wie in Abb. 4c vorgeschlagen, können die bei 180 °C präparierten Tröpfchen nach einer Unterbrechung von bis zu 15 min noch stabil bleiben.

AFM-Morphologieergebnisse der Tröpfchen in a IR3, b den bei 350 °C gewachsenen Tröpfchen gefolgt von einem Glühen von 2 min bei gleicher Temperatur und c den bei 180 °C gewachsenen Tröpfchen gefolgt von einem Glühen von 15 min bei gleicher Temperatur

Schlussfolgerungen

Zusammenfassend haben wir eine Forschung zur in-situ Bestrahlung der Ga-Tröpfchen bei 180 °C durch gepulsten Laser in MBE durchgeführt und demonstriert, dass der Laserschuss die Größenverteilung der Tröpfchen leicht und hocheffizient anpassen kann. Die Morphologieentwicklung des Tröpfchens als Funktion der IRIT wird sorgfältig untersucht und der involvierte Mechanismus systematisch geklärt: bei niedrigem Bestrahlungsniveau wird die Tröpfchengrößenverteilung ausschließlich auf die große Seite verschoben, was durch den einzigen Effekt der Tröpfchen-Koaleszenz erklärt werden kann, die durch Laser-thermische Expansion der Tröpfchen induziert wird; während bei hohem Bestrahlungsniveau sich die Größenverschiebung speziell auf beide Seiten erstreckt und dies resultiert aus einer Art Wettbewerb zwischen Koaleszenz und thermischer Verdampfung. So haben wir hier eine Technologie berichtet, die gepulste Laserbestrahlung verwendet, um die Tröpfchen in situ bei so niedriger Temperatur neu zu dimensionieren, dass das Ätzen der Tröpfchen in das Substrat fast verhindert werden kann. Offenbar ist unsere Technologie wunderschön mit der gängigen Tröpfchenepitaxie-Lösung kompatibel, frei von Verschmutzung, Oxidation und Beschädigung. Und was erwähnenswert ist: Durch Aufrüsten der Mono-Strahl-Bestrahlung in Multi-Strahl-Interferenz-Bestrahlung können wir die gemusterte Modifikation der Tröpfchengröße für eine kontrolliertere Tröpfchenepitaxie in der Zukunft leicht realisieren.

Verfügbarkeit von Daten und Materialien

Nicht anwendbar.